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DMC2004LPK-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:750mA
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- 描述
- 特性：低导通电阻。低栅极阈值电压 VGS(th) < 1V。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏。互补对MOSFET。超小表面贴装封装。ESD保护栅极。无铅涂层；符合RoHS标准。无卤素和锑。“绿色”器件。本产品符合JEDEC高可靠性标准
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2004LPK-7
- 商品编号
- C5125496
- 商品封装
- DFN1612-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.016克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@2.5V,500mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 150pF@16V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@16V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 12A
- 当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 12mΩ
- 当栅源电压（VGS） = 4.5V时，导通电阻（RDS(ON)） < 16mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关