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DMTH6004LPSQ-13
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 描述
- 这款 MOSFET 专为满足汽车应用的严苛要求而设计。它符合 AEC Q101 标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：隔离式 DC-DC 主开关、同步整流器、负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6004LPSQ-13
- 商品编号
- C5125762
- 商品封装
- PowerDI-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.399nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 92pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，封装为小型 SOT23 (TO - 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻RDS(ON),可将功率损耗降至最低
- 低栅极电荷Qg,可将开关损耗降至最低
- 无铅镀层,符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
- DMTH6004LPSQ适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC - Q101标准,具备PPAP能力,且在通过IATF16949认证的工厂生产。
应用领域
-隔离式DC-DC的初级开关-同步整流器-负载开关
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