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DST847BPDP6-7
NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V
- 描述
- 特性：NPN与PNP互补。 BVCEO > 45V。 IC = 100mA，高集电极电流。 PD = 300mW，功率耗散。 1mm²封装尺寸，比SOT23小5倍。 0.5mm封装高度，减少板外轮廓。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DST847BPDP6-7
- 商品编号
- C5125497
- 商品封装
- SOT-963-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 200@100mA,5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 175MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 50mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
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