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DMC2041UFDB-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC2041UFDB-7
- 商品编号
- C5125758
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V,2.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC | |
| 输入电容(Ciss) | 881pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 67pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用。
商品特性
- 8.2A，30V
- rDS(ON) = 0.015 Ω，VGS = 4.5 V
- rDS(ON) = 0.020 Ω，VGS = 2.5 V
- 扩展的VGS范围（±12V），适用于电池应用
- 高性能沟槽技术，实现极低的rDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 负载开关-电池充电-电池断开电路