温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN10H170SFG-7
1个N沟道 耐压:100V 电流:2.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN10H170SFG-7
- 商品编号
- C5124985
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.086克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 122mΩ@10V,3.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 940mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 870.7pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 24.6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单