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HYG030N03LQ1B实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG030N03LQ1B

N沟道 30V 100A

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描述
特性:30V/100A,RDS(ON) = 2.8mΩ (typ.)@VGS = 10V,RDS(ON) = 3.8mΩ (typ.)@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无铅和环保器件。应用:开关应用。 电池保护
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG030N03LQ1B
商品编号
C5121309
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
1.75克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@4.5V;2.8mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))1.3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)31.3nC@4.5V;57.9nC@10V
输入电容(Ciss)1.986nF
反向传输电容(Crss)303pF
类型N沟道
输出电容(Coss)315pF

商品特性

  • 100V/150A
  • 当VGS = 10 V时,RDS(ON)=3.8 mΩ(典型值)
  • 先进的HEFET技术
  • 超低导通电阻
  • 出色的Qg x RDS(on)乘积
  • 100%雪崩测试
  • 工作温度达175°C
  • 提供无铅环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 电机驱动器
  • 不间断电源
  • DC/DC转换器
  • 通用应用

数据手册PDF