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HYG015N03LR1P
1个N沟道 耐压:30V 电流:170A
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- 描述
- 特性：30V/170A，RDS(ON) = 1.8mΩ（典型值）@VGS = 10V，RDS(ON) = 2.4mΩ（典型值）@VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：功率开关应用。 电池保护
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG015N03LR1P
- 商品编号
- C5121321
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 104nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 480pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |