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HYG024N03LR1P
30V 160A
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- 描述
- 特性：30V/160A。 RDS(ON)=2.1mΩ（典型值），VGS = 10V。 RDS(ON)=2.7mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG024N03LR1P
- 商品编号
- C5121322
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.992nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 450pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 150V/40A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 34mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无铅环保器件可供选择（符合RoHS标准）
应用领域
- 功率开关应用-交流-直流/直流-直流转换-N沟道MOSFET