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HYG050N13NS1P
N沟道增强型MOSFET 135V/200A
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- 描述
- 特性：135V/200A，RDS(ON)=4.0mΩ（典型值），VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：电源开关应用。 不间断电源
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG050N13NS1P
- 商品编号
- C5121328
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.687nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 905pF |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和更低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS通用系列针对极致开关性能进行了优化，以最大限度地降低开关损耗。它专为高功率密度应用量身定制，以满足最高效率标准。
商品特性
- 低导通电阻（RDS(on)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
应用领域
- 电脑电源
- LED照明
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能/不间断电源（UPS）