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HYG045P03LQ1D
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：-30V / -90A。RDS(ON)=4.4mΩ（典型值）@VGS=-10V。RDS(ON)=7.4mΩ（典型值）@VGS=-4.5V。100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC/DC转换器中的电源管理。负载开关
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG045P03LQ1D
- 商品编号
- C5121319
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.66nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 575pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 1.6 mm薄型封装
- 极低的热阻
- 符合RoHS标准
- 无卤