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HYG045P03LQ1D
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：-30V / -90A。RDS(ON)=4.4mΩ（典型值）@VGS=-10V。RDS(ON)=7.4mΩ（典型值）@VGS=-4.5V。100%雪崩测试。可靠且耐用。提供无卤和环保器件（符合RoHS标准）。应用：DC/DC转换器中的电源管理。负载开关
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG045P03LQ1D
- 商品编号
- C5121319
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 575pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- -30V/-90A
- 栅源电压(VGS)为 -10 V 时,漏源导通电阻(RDS(ON))典型值为 4.4 mΩ
- 栅源电压(VGS)为 -4.5 V 时,漏源导通电阻(RDS(ON))典型值为 7.4 mΩ
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 提供无卤环保器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
-DC/DC 转换器电源管理-负载开关-电机控制