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HYG065N07NS1C2
1个N沟道 耐压:70V 电流:70A
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- 描述
- 特性：70V/70A。 RDS(ON) = 5.3 mΩ（典型值）@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG065N07NS1C2
- 商品编号
- C5121292
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 70V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 57.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.07nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 24pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过特别优化，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理中的高效开关应用。
商品特性
- 10A、650V，VGS = 10V时，RDS(ON)典型值 = 0.745Ω
- 低栅极电荷（典型值19nC）
- 低Crss（典型值5.3pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力