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HYG065N03LR1C2
1个N沟道 耐压:30V 电流:55A
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- 描述
- 特性：30V/55A。RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值） @ VGS = 10V。RDS(ON) = 8.6mΩ（典型值） @ VGS = 4.5V。100%雪崩测试。100% DVDS。可靠耐用。应用：开关应用。锂电池保护
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG065N03LR1C2
- 商品编号
- C5121299
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 732pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 89pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术制造。该先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 7.5A、680V，VGS = 10V时，RDS(ON)最大值 = 1.10Ω
- 低栅极电荷（典型值26nC）
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 高效开关模式电源
- 基于半桥拓扑的有源功率因数校正