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HYG012N03LR1C2
HYG012N03LR1C2
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG012N03LR1C2
- 商品编号
- C5121296
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 180A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 71.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 196.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.108nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 30V/180A
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.9 mΩ(典型值)
- 在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 1.3 mΩ(典型值)
- 经过100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 有无卤器件可供选择
应用领域
- 负载开关
- 电池保护