温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO3413A
1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：使用先进沟槽技术，可提供出色的Rps(on)。 低栅极电荷。 可在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = -20V。 ID = -3A (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 66mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = -2.5V)
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO3413A
- 商品编号
- C545578
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 66mΩ@4.5V；80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 650mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 745pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AO3413A采用先进的沟槽技术，可实现出色的Rps（导通）、低栅极电荷，并且能在低至1.8V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS（V） = -20 V
- ID = -3 A（VGS = -4.5 V）
- RDS（导通） < 66 mΩ（VGS = -4.5 V）
- RDS（导通） < 80 mΩ（VGS = -2.5 V）
相似推荐
其他推荐