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NSG2065Q
集成自举的三相栅极驱动芯片，可驱动高低侧功率晶体管，具备防直通和欠压锁定功能
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG2065Q
- 商品编号
- C53463328
- 商品封装
- QFN-24-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.195586克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 15ns | |
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2.5V | |
| 输入低电平(VIL) | 800mV | |
| 静态电流(Iq) | 700uA | |
| 功能特性 | 欠压保护 |
商品概述
NSG2065Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可容纳高达250V的总线电压。NSG2065Q输出能提供较大驱动能力，输出拉灌电流可达1.2A/1.5A。NSG2065Q工作电压范围宽，高、低侧栅极驱动电压均可优化以实现最佳驱动效率。内部防直通和死区电路可防止两个晶体管同时导通，进一步降低开关损耗。NSG2065Q的欠压锁定功能确保供电电压较低时，两个驱动器输出均为低电平。NSG2065Q集成自举二极管，可最大程度优化芯片外围电路。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压可达250V
- 栅极驱动电压5V~20V
- 兼容3.3/5V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达+50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 输入输出同相位
- 芯片开通/关断延时 -- Ton/Toff =150ns/150ns -- 高低侧延时匹配
- 防直通保护 -- 死区时间：200ns
- 高、低侧欠压锁定电路 -- 欠压锁定正向阈值4.5V -- 欠压锁定负向阈值4.3V
- 输出拉/灌电流能力：1.2A/1.5A
- 宽温度范围-40~125°C
- 集成自举二极管
- 符合RoHS标准
- 采用QFN24封装
应用领域
电机驱动器