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NSG20752
集成自举的单相高侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片，采用高低压兼容工艺，逻辑输入电平兼容CMOS或LSTTL，输出具大电流脉冲能力，集成欠压锁定电路和自举二极管
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NSG20752
- 商品编号
- C53463332
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.048733克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
NSG20752是一款高压、高速功率MOSFET高侧驱动芯片。采用高低压兼容工艺，使高侧栅驱动电路可单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达200V。集成有自举二极管，对高侧进行充电，简化了芯片外围电路。采用SOT23 - 6封装，可在-40℃ ~ 125℃温度范围内工作。
商品特性
- 自举工作的浮地通道
- 最高工作电压为+200V
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 栅极驱动电压从10V到20V
- 集成欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值8.9V
- 欠压锁定负向阈值8.2V
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 130ns/130ns
- 延迟匹配时间小于50ns
- 宽温度范围-40℃ ~ 125℃
- 输出级拉电流/灌电流能力290mA/600mA
- 集成自举二极管（60Ω）
- 符合RoHS标准
- SOT23 - 6封装
应用领域
- 电机控制
- 空调/洗衣机
- 通用逆变器
- 微型逆变器驱动
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