立创商城logo
购物车0
ISG6134ATK实物图
  • ISG6134ATK商品缩略图
  • ISG6134ATK商品缩略图
  • ISG6134ATK商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ISG6134ATK

集成内置栅极钳位和DESAT保护的增强型氮化镓(GaN)FET,具备自供电技术、零反向恢复电荷和超高开关频率,适用于常规PWM控制器

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
商品型号
ISG6134ATK
商品编号
C53436251
商品封装
TO-252-3L​
包装方式
编带
商品毛重
0.424克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录功率电子开关
属性参数值
功能特性过流保护

商品概述

ISG6134A SolidGaN集成电路在传统的TO - 252封装中无缝集成了一个700V增强型氮化镓(GaN)场效应管,内置栅极钳位和DESAT保护功能,为电力电子领域的性能、易用性和可靠性树立了新的标准。它具备自供电功能,无需为内部供电提供持续的电源电压,确保能够稳定驱动GaN场效应管。内置的DESAT保护功能进一步保证了器件的稳定性和系统的安全性。

ISG6134A允许用户使用外部栅极电阻调整GaN场效应管的导通压摆率,从而优化效率和电磁干扰(EMI)性能。ISG6134A高度集成的GaN场效应管和强大的保护功能,使其适用于从低元件数量的简单设置到高频、高功率应用等一系列场景。

商品特性

  • 最新的高压G3.0 GaN技术
  • 210mΩ E模式GaN,内置栅极钳位
  • 700V连续电压、750V脉冲电压额定值
  • 8V至20V宽栅极输入电压范围
  • 自供电技术,无需外围电源
  • 可通过外部栅极电阻调整导通压摆率
  • 零反向恢复电荷
  • 超高开关频率
  • 适用于传统PWM控制器
  • 提供3引脚TO - 252封装

应用领域

  • 升压功率因数校正(PFC)、准谐振反激拓扑
  • AHB、LLC拓扑
  • 交流 - 直流电源适配器、LED照明
  • 电视电源、家用电器电源

数据手册PDF