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XRC120R35P实物图
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XRC120R35P

碳化硅功率MOSFET,高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低开关损耗

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品牌名称
XNRUSEMI(新锐)
商品型号
XRC120R35P
商品编号
C53330220
商品封装
TO-247-4L​
包装方式
管装
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录碳化硅场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
类型N沟道
漏源电压(Vdss)1.2kV
连续漏极电流(Id)70A
耗散功率(Pd)308W
阈值电压(Vgs(th))3.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)93nC
输入电容(Ciss)2.259nF
反向传输电容(Crss)5pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)99pF
导通电阻(RDS(on))35mΩ

商品特性

  • 采用革命性的半导体材料碳化硅
  • 高阻断电压和低导通电阻
  • 高速开关且开关损耗极低
  • 高速且强健的本征体二极管
  • 带有独立驱动源引脚的优化封装

应用领域

  • 电动汽车车载充电机和直流/直流转换器
  • 电动汽车压缩机控制器
  • 电动汽车充电器
  • 不间断电源/太阳能逆变器
  • 储能系统
  • 焊接机
  • 测试电源
  • 电池化成电源

数据手册PDF