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XRC120R75P
碳化硅功率MOSFET，高阻断电压、低导通电阻、高速开关、低开关损耗、高速高稳健本征体二极管、优化封装
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XRC120R75P
- 商品编号
- C53330221
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 39A | |
| 耗散功率(Pd) | 193W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 54nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ |
商品特性
- 采用革命性的半导体材料碳化硅
- 高阻断电压，低导通电阻
- 高速开关，极低开关损耗
- 高速且高稳健性的本征体二极管
- 采用优化封装，带有独立的驱动源极引脚
应用领域
- 电机驱动
- 电动汽车电池充电器
- 太阳能系统
- 不间断电源
- 工业电机控制