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10N10

1个N沟道 耐压:100V 电流:10A

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描述
适用于电源开关和信号控制
商品型号
10N10
商品编号
C53283185
商品封装
SOT-89​
包装方式
编带
商品毛重
0.134克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on))85mΩ@10V
耗散功率(Pd)30W
阈值电压(Vgs(th))1.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)765pF
反向传输电容(Crss)33pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)38pF

商品概述

10N10是性能最高的沟槽型N沟道MOSFET,具有极高的单元密度,为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷。10N10符合RoHS和无害物质产品要求,100%保证雪崩能量等级,并通过全面的功能可靠性认证。

商品特性

  • 超低栅极电荷
  • 提供无害物质器件
  • 优异的漏源电压变化率效应抑制能力
  • 先进的高单元密度沟槽技术

数据手册PDF