- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
8N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:8A
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- 描述
- 适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 8N10
- 商品编号
- C53283188
- 商品封装
- SOT-89
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.193478克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 765pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
商品概述
8N10是性能最高的沟槽N沟道MOSFET，具有极高的元胞密度，为大多数同步降压转换器应用提供了优异的RDSON和栅极电荷。该产品符合RoHS和无铅产品要求，100%保证EAS，并通过了全面的功能可靠性认证。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供无铅器件
- 优异的Cdv/dt效应抑制
- 先进的高元胞密度沟槽技术