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BNUCLAMP0501T
单向配置、固态硅雪崩技术的ESD保护二极管
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- 描述
- DFN1006封装，5V低电容单向ESD
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNUCLAMP0501T
- 商品编号
- C53235416
- 商品封装
- DFN0603-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01008克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向工作电压(Vrwm) | 5V | |
| 钳位电压 | 15V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 105W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 7.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向漏电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 1.4pF |
商品特性
- 105瓦峰值脉冲功率（脉冲宽度为8/20微秒）
- 单向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 低电容（典型结电容为1.4皮法）
- 保护一条数据/电源线
- 符合IEC 61000-4-2标准：接触放电±30千伏；空气放电±30千伏
- 符合IEC 61000-4-4标准（电快速瞬变脉冲群）：40安培（5/50纳秒）
- 符合IEC 61000-4-5标准（雷击）：7安培（8/20微秒）
应用领域
- 手机及配件
- 基于微处理器的设备
- 个人数字助理
- 笔记本电脑、台式机与服务器
- 便携式仪器