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BNESD113B102EL
ESD保护二极管，采用固态硅雪崩技术，双向配置，低钳位电压、低漏电流和低电容
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- 描述
- DFN1006封装，5V低电容双向ESD
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BNESD113B102EL
- 商品编号
- C53235417
- 商品封装
- DFN1006-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 双向 | |
| 反向工作电压(Vrwm) | 3.3V | |
| 钳位电压 | 20V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 3.5A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 70W@8/20us | |
| 击穿电压(VBR) | 7.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向漏电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 0.4pF |
商品特性
- 70瓦特峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）
- 双向配置
- 固态硅雪崩技术
- 低钳位电压
- 低漏电流
- 低电容（Cj=0.4pF 典型值，IO-IO间）
- 保护一条数据/电源线
- 符合IEC 61000-4-2标准：±15kV接触放电；±20kV空气放电
- 符合IEC 61000-4-4标准（EFT）：40A（5/50ns）
- 符合IEC 61000-4-5标准（雷击）：3.5A（8/20μs）
应用领域
- 手机及配件
- 基于微处理器的设备
- 个人数字助理
- 笔记本电脑、台式机及服务器
- 便携式仪器