- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BMF7N70
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 93pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- V_DSS = 700V
- I_D = 7A
- R_DS(ON)@V_GS = 10V，典型值=1.4Ω
- 快速开关
- 低栅极电荷
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路
- LED电源
- 手机充电器
- 待机电源