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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AO4410-TD
采用先进沟槽技术的N沟道MOSFET，适用于电池保护和其他开关应用
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，可在低至4.5V的栅极电压下工作。 VDS = 30V。 ID = 18A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 5.5mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 6.2mΩ（VGS = 4.5V）。应用：电池保护。 其他开关应用
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- AO4410-TD
- 商品编号
- C53202415
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.6nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
AO4410-TD采用先进的沟槽技术，提供优异的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压为30V，漏极电流为18A
- 当栅源电压为10V时，导通电阻小于5.5mΩ
- 当栅源电压为4.5V时，导通电阻小于8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源