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ULN2001-TD
高电压高电流达林顿晶体管阵列集成电路
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- 描述
- ULN2001是一款单芯片集成的高压、大电流达林顿晶体管阵列，电路内部包含三个独立的达林顿晶体管驱动通道。该电路内部设计有续流二极管，可用于驱动继电器、步进电机等感性负载。单个达林顿管集电极可输出500mA的电流，多个通道并联可实现更高的电流输出能力
- 品牌名称
- TDSEMIC(拓电半导体)
- 商品型号
- ULN2001-TD
- 商品编号
- C53202423
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿晶体管阵列 | |
| 通道数 | 三路 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 最大输入电压(VI) | 30V | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 集电极漏电流(Icex) | 100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.6V | |
| 输入电流(on) | 250uA | |
| 输入电流(off) | 1uA | |
| 正向压降(Vf) | 1.2V | |
| 反向电流(Ir) | 10uA | |
| 输入电容(Ci) | 100pF | |
| 类型 | BJT |
商品概述
ULN2003-TD是一款单片高电压、高电流达林顿晶体管阵列集成电路。该器件由7组NPN达林顿管构成，其高压输出特性和阴极钳位二极管可用于驱动感性负载。单个达林顿对的集电极电流为250mA。通过并联达林顿管可以承受更大的电流。每组达林顿管均内置一个2.7kΩ串联输入电阻，可直接与TTL或5V CMOS器件连接。ULN2002-TD包含4组NPN达林顿管，ULN2001-TD包含3组NPN达林顿管，它们的功能与ULN2003-TD相同，主要区别在于内置达林顿管数量不同，因此可驱动的继电器数量也不同。
商品特性
- 额定集电极电流（单个输出）：250mA
- 最高工作电压：50V
- 输入兼容各种逻辑类型
应用领域
- 继电器驱动器
- 字锤驱动器
- 灯驱动器
- 逻辑驱动器