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XR12G02S
N沟道和P沟道快速开关MOSFET，超低栅极电荷，先进的高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR12G02S
- 商品编号
- C53154977
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.183633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V；13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；2.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV；800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@15V；16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.797nF；700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF；114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 213pF；132pF |
商品概述
XR12G02S是高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和栅极电荷。XR12G02S符合RoHS和绿色标准。
商品特性
- 提供绿色环保器件
- 超低栅极电荷
- 优异的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术