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XR8G02L
P+N沟道快速开关MOSFET，采用先进高单元密度沟槽技术，超低栅极电荷，具备出色CdV/dt效应衰减
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR8G02L
- 商品编号
- C53154978
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A；8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V；20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W；1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV；750mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V；19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF；1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 279pF；114pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 302pF；132pF |
商品概述
XR8G02L是采用极高单元密度沟槽技术的高性能N沟道和P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合RoHS和无害物质要求，100%保证雪崩能量，并通过了全面的功能可靠性验证。
商品特性
- 先进的沟槽技术，具有高单元密度
- 极低的栅极电荷
- 优异的dV/dt效应抑制能力
- 提供符合环保要求的产品
应用领域
- 半桥和逆变器中的电源管理
- DC-DC转换器
- 负载开关
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