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XR10G03S
N沟道和P沟道快速开关MOSFET，低栅极电荷，具备先进的高单元密度沟槽技术
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- 品牌名称
- XNRUSEMI(新锐)
- 商品型号
- XR10G03S
- 商品编号
- C53154979
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191867克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V；19mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W；3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V；1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@15V；34nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF；900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 109pF；215pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 245pF；125pF |
商品概述
XR10G03S是一款高性能互补型N沟道和P沟道MOSFET，采用高单元密度设计，为大多数同步降压转换器应用提供优异的导通电阻和栅极电荷性能。该产品符合RoHS和绿色产品要求，提供100%单脉冲雪崩能量保证，并通过了全面的功能可靠性验证。
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