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MPT036N10P
N沟道 100V 179A
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- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MPT036N10P
- 商品编号
- C53145473
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.248nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.823nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
N沟道增强型功率MOSFET采用先进的双沟槽技术,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于电机驱动器和高速开关应用。
商品特性
- VDS = 100 V,R\text dson < 3.8 m Ω(VGS = 10 V时,典型值为3.4 m Ω)
- 快速开关
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 高雪崩耐量
- 符合RoHS标准的产品
应用领域
- 电机驱动器
- 开关应用
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