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MDT30N10L
N沟道 100V 30A
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- 描述
- MDT30N10L具有较低的栅极阈值电压,在小型化、低功耗、高频应用以及低压系统中具有显著优势
- 品牌名称
- minos(迈诺斯)
- 商品型号
- MDT30N10L
- 商品编号
- C53145477
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.55nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 205pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 225pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
MDT30N10L采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 100 V, ID = 30 A
- RDS(ON)< 30 m Ω@ VGS=10 V
- 高密度单元设计,实现超低 R\text dson
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 高EAS下稳定性和一致性良好
- 出色的封装,散热性能佳
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源