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AT24C16DQ2/TR-HG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AT24C16DQ2/TR-HG

I2C兼容串行EEPROM,单电源电压和高速模式,低功耗CMOS技术,具备多种读写功能和高可靠性

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描述
8K 串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)
品牌名称
HGSEMI(华冠)
商品型号
AT24C16DQ2/TR-HG
商品编号
C52953109
商品封装
DFN-8(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.183克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型I2C
存储容量16Kbit
时钟频率(fc)1MHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命100万次
属性参数值
功能特性内置上电复位(POR);硬件写保护功能;噪声抑制功能
工作电压1.7V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
工作电流0.8mA
待机电流1uA
读取访问时间(tA)0.9us

商品概述

AT24C08/AT24C16是一款I²C兼容的串行EEPROM(电可擦除可编程存储器)器件。它包含一个8K位(1K字节)/16K位(2K字节)的存储阵列,每页为16字节。

商品特性

  • 单电源电压和高速模式
  • 最低工作电压低至1.7V
  • 在1.7V至5.5V范围内支持400kHz/1MHz时钟
  • 低功耗CMOS技术
  • 读取电流0.2mA(400kHz,典型值)
  • 写入电流0.8mA(400kHz,典型值)
  • 施密特触发器,带滤波输入以抑制噪声
  • 顺序和随机读取功能
  • 页写入模式,允许部分页写入
  • 整个存储阵列写保护
  • 额外的可写锁定页
  • 自定时写入周期(最大5ms)
  • 高可靠性
  • 耐久性:100万次写入周期
  • 数据保持:100年
  • HBM:4kV
  • 闩锁能力:±200mA(25℃)
  • 封装:DIP-8、SOP-8、TSSOP-8、SOT-23-5、DFN-8、MSOP-8

数据手册PDF