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HG24C16DQ2/TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HG24C16DQ2/TR

串行电可擦可编程只读存储器,适用于低功耗和低电压操作,采用两线串行接口

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描述
8K 串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)
品牌名称
HGSEMI(华冠)
商品型号
HG24C16DQ2/TR
商品编号
C52953110
商品封装
DFN-8(2x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1835克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录EEPROM
接口类型I2C
存储容量16Kbit
时钟频率(fc)1MHz;400kHz
写周期时间(Tw)5ms
数据保留 - TDR(年)100年
写周期寿命100万次
属性参数值
功能特性噪声抑制功能;硬件写保护功能
工作电压1.7V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃
工作电流2mA
待机电流2uA
读取访问时间(tA)0.9us

商品概述

HG24C02、HG24C04、HG24C08、HG24C16系列器件提供2048、4096、8192、16384位的串行电可擦除可编程只读存储器,分别组织为256、512、1024、2048个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化,这些应用对低功耗和低电压操作至关重要。该系列器件采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP和5引脚SOT23封装,并通过两线串行接口进行访问。

商品特性

  • 宽电压工作范围:VCC = 1.7V 至 5.5V
  • 工作环境温度:-40°C 至 +85°C
  • 内部组织:HG24C02为256 × 8位(2K位);HG24C04为512 × 8位(4K位);HG24C08为1024 × 8位(8K位);HG24C16为2048 × 8位(16K位)
  • 两线串行接口
  • 施密特触发器,滤波输入以抑制噪声
  • 双向数据传输协议
  • 兼容1 MHz(5V)、400 kHz(1.8V、2.5V、2.7V)操作
  • 写保护引脚提供硬件数据保护
  • 支持8字节页(2K)和16字节页(4K、8K、16K)写入模式
  • 允许部分页写入
  • 自定时写周期(最大5 ms)
  • 高可靠性
  • 耐久性:100万次写循环
  • 数据保持:100年
  • 晶圆销售形式:晶圆形式、华夫盘包装

数据手册PDF