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IRFR540ZTRPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
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- 描述
- 该HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术，在单位硅面积上实现极低的导通电阻。该设计的其他特点包括175℃的结工作温度、快速的开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性相结合，使该设计成为适用于各种应用的高效可靠器件。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR540ZTRPBF
- 商品编号
- C537985
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.413克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.5mΩ@10V,21A | |
| 耗散功率(Pd) | 91W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 59nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
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