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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 75V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt鲁棒性
- 全面表征的电容和雪崩安全工作区
- 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力
- 无铅
应用领域
- 开关电源(SMPS)中的高效同步整流
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 硬开关和高频电路
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