温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IRFS4020TRLPBF

1个N沟道耐压:200V 电流:18A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRFS4020TRLPBF
商品编号: C538015
商品封装: D2PAK
包装方式: -
商品毛重: 2克(g)

商品参数

商品概述

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的工艺技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和重复雪崩能力。这些特性相结合，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、耐用且可靠的器件。

商品特性

针对D类音频放大器应用优化关键参数
低导通电阻(RDSON),提高效率
低栅极电荷(QG)和开关电荷(QSW),改善THD并提高效率
低反向恢复电荷(QRR),改善THD并降低EMI
175°C工作结温,增强耐用性
在半桥配置放大器中,每通道可向8Ω负载提供高达300W的功率

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	18A
	导通电阻(RDS(on))	105mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	100W
	阈值电压(Vgs(th))	4.9V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	29nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.2nF
	反向传输电容(Crss)	20pF
	工作温度	-55℃~+175℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	91pF