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IRFS4020TRLPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFS4020TRLPBF

1个N沟道 耐压:200V 电流:18A

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描述
这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术,以实现每个硅面积的低导通电阻。此外,栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化,以改善D类音频放大器的关键性能因素,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
商品型号
IRFS4020TRLPBF
商品编号
C538015
商品封装
D2PAK​
包装方式
-
商品毛重
2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))105mΩ@10V
耗散功率(Pd)100W
阈值电压(Vgs(th))4.9V@100uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)1.2nF
反向传输电容(Crss)20pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)91pF

数据手册PDF