IRFR5505TRLPBF
1个P沟道 耐压:55V 电流:18A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR5505TRLPBF
- 商品编号
- C537988
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
第五代HEXFET功率场效应管采用先进的加工技术，以实现极低的单位硅片面积导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET以之闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
商品特性
- 超低导通电阻
- 表面贴装(IRFR5505)
- 直引脚(IRFU5505)
- 先进的工艺技术
- 快速开关
- 全雪崩额定
- 无铅
- 无卤
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