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IRFR5410TRRPBF
1个P沟道 耐压:100V 电流:13A
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- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术，每单位硅面积可实现极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR5410TRRPBF
- 商品编号
- C537987
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.453克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 205mΩ@10V,7.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 66W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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