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IRFR420TRPBF
1个N沟道 耐压:500V 电流:2.4A
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- 描述
- 第三代HEXFET功率场效应管为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。D-PAK封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFR420TRPBF
- 商品编号
- C537980
- 商品封装
- DPAK(TO-252AA)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V,1.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |