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IRFR5410TRLPBF

1个P沟道耐压:100V 电流:13A

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描述: 第五代HEXFET采用先进的加工技术，每单位硅面积可实现极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。D-Pak专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。直插引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRFR5410TRLPBF
商品编号: C537986
商品封装: DPAK(TO-252AA)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

商品概述

第五代HEXFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计师提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。 D-Pak封装专为采用气相、红外或波峰焊技术的表面贴装而设计。直引脚版本（IRFU系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功率耗散水平可达1.5瓦。

商品特性

超低导通电阻
P沟道
表面贴装（IRFR5410）
直引脚（IRFU5410）
先进的工艺技术
快速开关
全雪崩额定
无铅

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	13A
	导通电阻(RDS(on))	205mΩ@10V,7.8A
	耗散功率(Pd)	66W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	-
	栅极电荷量(Qg)	58nC
	输入电容(Ciss)	760pF
	反向传输电容(Crss)	170pF
	工作温度	-55℃~+150℃