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IRFHS8342TRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:8.5A
- 描述
- 特性：低RDSon (≤ 16.0mΩ)。 低至PCB的热阻 (≤ 13°C/W)。 低外形 (≤ 1.0 mm)。 与现有表面贴装技术兼容。 符合RoHS标准，无铅、无溴、无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：降压转换器的控制MOSFET。 系统/负载开关
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFHS8342TRPBF
- 商品编号
- C537911
- 商品封装
- PQFN-6(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF@24V | |
| 反向传输电容(Crss) | 46pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
应用领域
- 降压转换器控制MOSFET-系统/负载开关