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IRFIZ34NPBF
1个N沟道 耐压:55V 电流:21A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRFIZ34NPBF
- 商品编号
- C537926
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,11A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
第五代HEXFET采用先进的制造工艺，在单位硅片面积上实现极低的导通电阻。这一优势，结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，适用于各种应用。 TO - 220全塑封封装在商业和工业应用中无需额外的绝缘硬件。所使用的模塑料具有高隔离能力，且散热片与外部散热器之间的热阻较低。这种隔离效果等同于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母片。全塑封封装可通过单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。
商品特性
- 先进的制造工艺
- 隔离封装
- 高电压隔离 = 2.5KVRMS
- 散热片至引脚爬电距离 = 4.8mm
- 全雪崩额定
- 无铅