IPP60R210CFD7
1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPP60R210CFD7
- 商品编号
- C537212
- 商品封装
- TO-220-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 210mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 330pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
CoolMOS™ 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，依据超结（SJ）原理设计。最新的 CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的后续产品，是针对移相全桥（ZVS）和 LLC 等软开关应用量身定制的优化平台。凭借降低的栅极电荷（Qg）、同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）以及改进的关断特性，CoolMOS™ CFD7 在谐振拓扑中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计导入过程中易于实施。CoolMOS™ CFD7 技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总体而言，CoolMOS™ CFD7 让谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便且更凉爽。
商品特性
-超快体二极管-低栅极电荷-同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)-改进的 MOSFET 反向二极管 dv/dt 和 diF/dt 鲁棒性-最低的品质因数 Rds(ON)*QG 和 Rds(ON)*Eoss-SMD 和 THD 封装中同类最佳的 Rds(ON)
应用领域
- 软开关拓扑
- 移相全桥(ZVS)、LLC 应用——服务器、电信、电动汽车充电