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IPD30N10S3L-34
1个N沟道 耐压:100V
- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 符合汽车AEC Q101标准。 MSL1，最高260°C峰值回流温度。 工作温度175°C。 环保产品（符合RoHS标准）。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPD30N10S3L-34
- 商品编号
- C536757
- 商品封装
- TO-252-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.541克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 57W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.52nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 380pF |
商品特性
- N沟道 - 增强型
- 通过汽车级AEC Q101认证
- 潮湿敏感度等级1级,最高峰值回流温度260°C
- 工作温度达175°C
- 绿色产品(符合RoHS标准)
- 100%雪崩测试