CMOSH-4E-HXY

CMOSH-4E-HXY

描述

该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为0.35A，最大反向电压为40V。其正向压降典型值为0.6V，在导通状态下具有较低的功耗表现；反向漏电流仅为5μA，有助于提升系统能效。器件可承受高达2A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和响应速度要求较高的整流与开关电路中，常见于电源管理、信号解调及低电压输出场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CMOSH-4E-HXY

商品编号

C52754603

商品封装

SOD-523​

包装方式

编带

商品毛重

0.04克(g)