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BSC0501NSI实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC0501NSI

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
商品型号
BSC0501NSI
商品编号
C534342
商品封装
TDSON-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))1.9mΩ@4.5V,30A
耗散功率(Pd)50W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)11.4nC
输入电容(Ciss)2.2nF@15V
反向传输电容(Crss)54pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 专为高性能降压转换器优化
  • 在 VGS = 4.5 V 时具有极低导通电阻 RDS(on)
  • 经过 100% 雪崩测试
  • 出色的热阻性能
  • N 沟道
  • 针对目标应用通过 JEDEC 认证
  • 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
  • 根据 IEC61249-2-21 标准无卤

数据手册PDF