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BSC050N04LS G
1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
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- 描述
- 特性：用于开关电源的快速开关MOSFET。针对DC/DC转换器优化的技术。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。N沟道；逻辑电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。100%雪崩测试。无铅镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSC050N04LS G
- 商品编号
- C534347
- 商品封装
- TDSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 57W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.7nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 用于开关电源（SMPS）的快速开关MOSFET
- 针对直流-直流（DC/DC）转换器优化的技术
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- N沟道；逻辑电平
- 出色的栅极电荷与导通电阻RDS(on)乘积（品质因数FOM）
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 优异的热阻
- 100%雪崩测试
- 无铅镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249-2-21标准无卤