AUIRL7766M2TR
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- AUIRL7766M2TR
- 商品编号
- C533467
- 商品封装
- DirectFET
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.382622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V,31A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.305nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - |
商品概述
AUIRL7766M2将最新的汽车用HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术相结合，在具有SO - 8或5X6mm PQFN封装尺寸且厚度仅为0.7mm的封装中实现卓越性能。当遵循应用笔记AN - 1035中关于制造方法和工艺的说明时，DirectFET封装与电源应用中使用的现有布局几何结构、PCB组装设备以及气相、红外或对流焊接技术兼容。DirectFET封装支持双面散热，可在汽车电源系统中实现最大的热传递。 这款HEXFET功率MOSFET专为注重效率和功率密度的应用而设计。先进的DirectFET封装平台与最新的硅技术相结合，使AUIRL7766M2能够在ICE、HEV和EV平台的高频DC - DC及其他重载应用中显著节省系统成本并提升性能。该MOSFET采用最新的加工技术，在单位硅面积上实现低导通电阻和低Qg。这款MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温以及高重复峰值电流能力。这些特性使该MOSFET成为适用于大电流汽车应用的高效、坚固且可靠的器件。
商品特性
- 针对汽车DC - DC及其他重载应用进行优化
- 逻辑电平栅极驱动
- 极小的封装尺寸和超薄外形
- 高功率密度
- 低寄生参数
- 双面散热
- 175°C工作温度
- 具备重复雪崩能力，坚固可靠
- 无铅、符合RoHS标准且无卤
- 通过汽车级认证