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2ED020I12-FI
双 IGBT 驱动 IC
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- 描述
- 2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 2ED020I12-FI
- 商品编号
- C533039
- 商品封装
- DSO-18
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.065克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边；高边 | |
| 负载类型 | IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 2A | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 工作电压 | 14V~18V | |
| 上升时间(tr) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 传播延迟 tpLH | 85ns | |
| 传播延迟 tpHL | 85ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~5V | |
| 输入低电平(VIL) | 0V~800mV |
商品概述
2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。
商品特性
- 浮动高端驱动器
- 双通道欠压锁定
- 3.3 V和5 V TTL兼容输入
- 带下拉电阻的CMOS施密特触发输入
- 同相输入
- 互锁输入
- 带上拉电阻的专用关断输入
- 符合RoHS标准