温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
1EDF5673F
用于高压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的单通道功能型和强化型隔离栅极驱动集成电路（IC）
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- CoolGaN™ 及类似的氮化镓（GaN）开关在导通状态下需要几毫安的连续栅极电流。此外，由于阈值电压较低且开关瞬态极快，可能需要负的关断电压电平。广泛使用的 RC 耦合栅极驱动器可满足这些要求，但其开关动态特性存在占空比依赖性，且在特定情况下缺乏负栅极驱动
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- 1EDF5673F
- 商品编号
- C530947
- 商品封装
- DSO-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.267742克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 8A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 6.5V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 6.5ns | |
| 下降时间(tf) | 4.5ns | |
| 传播延迟 tpLH | 37ns | |
| 传播延迟 tpHL | 41ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 静态电流(Iq) | 1.5mA |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单